Как пишет VentureBeat, коммерческое применение такого чипа навряд ли может быть в ближайшем будущем, но сама по себе разработка является технологическим достижением: микросхема размеров с ноготь вмещает 30 млрд транзисторов. Сообщение об этом было размещено на сайте IBM.
Новые чипы имеют размер 5 нанометров и не менее уплотненную структуру, нежели их предшественники. Разработка чипа заняла приблизительно два года с того момента, как IBM показала 7-нанометровый чип с 20 млрд транзисторов.
На сей день на рынке доступны чипы, выполненные по 10-нанометровой технологии. IBM обещает не только лишь удивительно малогабаритные размеры, однако и существенный прирост мощности (на 40%) или эффективности (на три четверти при схожей производительности) похожих чипов. Над проектом трудились также профессионалы из Самсунг и GlobalFoundries.
Новый метод также в первый раз дает возможность создавать чипы литографическим оборудованием, работающим в экстремальном ультрафиолетовом спектре (EUV), что может уменьшить стоимость создания процессоров. Однако в последнее время инженеры столкнулись с проблемой масштабирования FinFET.
Но прогресс не стоит на месте, и в этом году IBM представила 7-нм тестовый чип, разработанный вместе с GlobalFoundries и Самсунг.
Как отмечает ArsTechnica, теоретически новая технология дает возможность сделать 3-нанометровый процессор.