И всё же, намёк на появление 5-нанометровых чипов важен сам по себе. Над проектом трудились также профессионалы из Самсунг и GlobalFoundries. Созданный по техпроцессу 5 нм чип, содержащий тридцать млрд. транзисторов, будет сопоставим по размеру с человеческим ногтем.
Для сравнения, на 7-нанометровом пробном чипе одинаковых размеров умещалось 20 млрд транзисторов. Новый процессор отлично подойдет для любого оборудования, начиная от мини-компьютеров и телефонов и заканчивая космическими станциями.
В сопоставлении с не менее передовой существующей технологией — 10-нанометровой — новая технология может обеспечить увеличение производительности на 40% при таком же энергопотреблении либо снижение энергопотребления на ¾ при той же производительности.
Понятно, что кроме увеличения количества транзисторов, возросло и их качество. Они посылают электроны через 4 затвора, но в случае с самыми продвинутыми транзисторами FinFET речь может идти о 3-х затворах. Сегодняшним королем потребительского рынка является 10-нанометровая технология, которая применялась при создании чипа Snapdragon 835. Но как в свое время сообщил Мукеш Харе, вице-президент отдела по исследованию полупроводниковых технологий в IBM, FinFET не может развиваться геометрически, а поэтому данная отрасль пробует все меньше использовать эту технологию. Определённо, компания IBM либо ее партнёры по производству чипов Globalfoundries и Самсунг так не считают. Начать серийное производство 5-нм чипов планируется в 2020 г.