Об этом сообщается на сайте компании.
В 1970-х годах был скорректирован закон Мура, согласно которому число транзисторов на одном чипе должно удваиваться каждые два года.
IBM Research с партнерами представила альтернативную архитектуру транзисторов с применением 3-х кремниевых «нанослоев», что позволило увеличить работоспособность чипов на 40% - другими словами, расположить на плате размером с человеческий ноготь не 20 млрд транзисторов, как было доступно ранее, а 30 млрд, при всем этом снизив потребление энергии на ¾ по сранвнению с 10-нанометровыми аналогами.
Понятно, что кроме увеличения количества транзисторов, возросло и их качество. Напомним, что нынешняя технология FinFET на данный момент применяется в 7-нм чипах, а в первый раз объявилась в 22 и 14-нм.
Однако, как объявил уполномоченный IBM, о коммерческом производстве 5-нм чипов еще пока говорить рано.
С таким процессом можно будет выпускать микрочипы размером с человеческий ноготь, способные вместить 30 млрд. транзисторов. Предполагается, что такие чипы будут развернуты в коммерческом масштабе приблизительно в 2019. В отличие от обычного транзистора FinFET, 5-нанометровый транзистор, созданный участниками Research Alliance, имеет затвор из нескольких кремниевых «нанолистов». Отметим, что с момента, когда IBM удалось сделать первую 7-нанометровую микросхему с функционирующими транзисторами, прошло наименее 2-х лет. Для создания новых чипов инженеры использовали уже испытанный метод фотолитографии в глубочайшем ультрафиолете (Extreme ultraviolet lithography, EUV, EUVL).