Компания Western Digital объявила о начале опытно-промышленного производства 512-гигабитного 64-слойного чипа 3D NAND памяти (BICS3) с тремя битами на ячейку (X3) на фабрике Yokkaichi в Японии и планирует запустить эти микросхемы в массовое производство во 2-ой половине 2017 года. Тут будут вертикально размещаться 64 слоя и в любой ячейке хранится по 3 бита.
Новая память была разработана вместе с компанией Toshiba, выступающей технологическим и производственным партнером Western Digital. Также технология увеличивает надежность хранения данных и скорость работы твердотельной памяти. Эта память найдёт применение в твердотельных накопителях марки Western Digital. Самсунг первой анонсировала начало индустриального производства чипов 3D NAND в 2014-ом году. Иными производителями являются Toshiba, Intel и Micron.
Новая память даст возможность удвоить емкость хранения в сравнении с предшествующей 64-слойной архитектуры, которую Western Digital представила в середине лета 2016 г.