В глобальной сети уже появились предположительные характеристики Snapdragon 835. По предположениям, пилотным телефоном с Snapdragon 835 на борту для Китая будет Xiaomi Mi 6. Новинка выпускается по 10 нм техпроцессу, а технологическим партнером Qualcomm стала компания Самсунг. В сравнении с Qualcomm Snapdragon 820 работоспособность возрастет на 27%. Он также будет занимать в устройстве менее драгоценного места, чем Snapdragon 820. Интегрированный в чип ускоритель Adreno 540 на 25% мощнее предшественника, а кроме этого обеспечивает лучшую передачу цветов.
Snapdragon 835 создан на 64-битной архитектуре и включается в себя 8 ядер Kryo 280 CPU. При всем этом рендеринг стал на 25% быстрее. Благодаря Adreno 540 новый чип поддерживает запись видео в разрешении 4K (Ultra HD), а кроме этого воспроизведение 4K-контента. Главной особенностью является также полная поддержка DirectX 12 API.
Следом за Galaxy S8, чипсет Snapdragon 835 получат уже и китайские флагманы. С Quick Charge 4 батарея заряжается на 20% скорее, чем с Quick Charge 3. 15 мин. зарядки наполнят батарею до 50% ее полной емкости.
Чип Snapdragon 835 со встроенным модемом X16 LTE будет использоваться в телефонах, VR-гарнитурах, планшетах, мобильных PC и иных гаджетах. LG G6 может быть представлен уже зимой нынешнего 2017-ого года и выйти на рынок к началу весны. Предполагается, что первым телефоном на новом чипе будет Самсунг Galaxy S8, премьера которого, по разной информации, может состояться на MWC 2017 к концу зимы либо на особом мероприятии в марте-апреле. Новые девайсы закончили поражать и даже стало создаваться впечатление, что мобильные телефоны остаются практически такими же, как и годы назад.