Компания Qualcomm на предыдущей неделе анонсировала новый флагманский процессор для мобильных устройств, рассказав о технологическом процессе 10 нм FinFET и релизе в первой половине 2017 года.
Чипсет Snapdragon 835 будет собираться по 10-nm FinFET техпроцессу (технология Samsung) и появится, скорее всего, уже в первой половине 2017 года.
После масштабной утечки с характеристиками процессора, нам есть что сказать еще. Но подробной информации о Snapdragon 835 представлено не было, не считая номера модели MSM8998. Согласно полученному документу, новый чипсет от Qualcomm обеспечен восемью ядрами вместо четырех, так что следующее поколение процессоров будет восьмиядерным в отличие от Snapdragon 820 и 821. Их частоты пока неизвестны. Применяется графический чип Adreno 540 вместо модели 6-го поколения. По предварительным сведениям, такой мощнейший модем даст возможность добиться скорости скачивания до 1 Гб/сек. Этот чип будет строиться на 14-нм техпроцессе Самсунг FinFet LPP и работать на частоте до 2,2 ГГц. Чип использует модем LTE X10, поддерживает двухканальный модуль LPDDR4X-1866 и UFS 2.1. Еще SD 660 получит поддержку 2-х канальной памяти LPDDR4X-1866 и флеш UFS2.1.
«Мы рады продолжить сотрудничество с Самсунг в разработке продуктов, которые продвигают мобильную индустрию вперед», проинформировал Кейт Крессин, старший вице-президент Qualcomm по управлению продукцией, — «Использование свежей технологии 10-нанометрового технологического процесса позволит поднять энергоэффективность и увеличить работоспособность нашего премиального процессора Snapdragon 835, а кроме этого добавить ряд новых возможностей, которые смогут сделать пользовательский опыт применения мобильных устройств еще не менее совершенным». Сообщается, что флагман Самсунг Galaxy S8 может первым получит Snapdragon 835.