Корейская компания Самсунг Electronics сказала о сотрудничестве с Qualcomm Technologies в сфере производства процессоров: Самсунг примет участие в создание нового чипсета Snapdragon 835, основанного на технологическом процессе Самсунг 10-нм FinFET.
На этот раз официальный анонс компании Qualcomm состоялся довольно рано. Чип Самсунг на базе 10-нм FinFET (10LPE) обеспечивает на 30% как минимум высокую удельную эффективность поверхности, рост производительности на 27%, а помимо этого снижение энергопотребления на 40% по сравнению с 14-нанометровым предшественником.
Платформа Snapdragon 835 должна появиться в телефонах в самом начале 2016-го года. Увы, каким именно будет этот прирост производитель пока не говорит. Согласно заявлению компании, всего после 5 мин. подзарядки, вы сможете получить до 5 часов автономной работы устройства, а после 15 мин., смартфон со Snapdragon 835 будет заряжен уже наполовину. 5 мин. зарядки хватило на 5 часов использования устройства. В сравнении с текущими 14-нанометровыми Snapdragon 821 (которые также производит Samsung), новый процессор будет вмещать на 30% больше транзисторов при том же размере, получит около 27% прироста в мощности и будет тратить при этом на 40 процентов менее электрической энергии.
Этими спецификациями прописана потребность четких замеров значений напряжения, тока и температуры в целях предотвращения повреждения мобильных устройств и зарядных устройств.
Решение использовать инновационное решение Самсунг в процессоре обновленного поколения подчеркивает рвение Qualcomm Technologies сохранять главенствующую позицию на рынке мобильных платформ. Кроме того, в Quick Charge 4.0 предусмотрена защита от перезарядки.