Snapdragon 835 будет поддерживать гигабитный LTE

Компания Qualcomm на предыдущей неделе анонсировала новый флагманский процессор для мобильных устройств, рассказав о технологическом процессе 10 нм FinFET и релизе в первой половине 2017 года.

Чипсет Snapdragon 835 будет собираться по 10-nm FinFET техпроцессу (технология Samsung) и появится, скорее всего, уже в первой половине 2017 года.

После масштабной утечки с характеристиками процессора, нам есть что сказать еще. Но подробной информации о Snapdragon 835 представлено не было, не считая номера модели MSM8998. Согласно полученному документу, новый чипсет от Qualcomm обеспечен восемью ядрами вместо четырех, так что следующее поколение процессоров будет восьмиядерным в отличие от Snapdragon 820 и 821. Их частоты пока неизвестны. Применяется графический чип Adreno 540 вместо модели 6-го поколения. По предварительным сведениям, такой мощнейший модем даст возможность добиться скорости скачивания до 1 Гб/сек. Этот чип будет строиться на 14-нм техпроцессе Самсунг FinFet LPP и работать на частоте до 2,2 ГГц. Чип использует модем LTE X10, поддерживает двухканальный модуль LPDDR4X-1866 и UFS 2.1. Еще SD 660 получит поддержку 2-х канальной памяти LPDDR4X-1866 и флеш UFS2.1.

«Мы рады продолжить сотрудничество с Самсунг в разработке продуктов, которые продвигают мобильную индустрию вперед», проинформировал Кейт Крессин, старший вице-президент Qualcomm по управлению продукцией, — «Использование свежей технологии 10-нанометрового технологического процесса позволит поднять энергоэффективность и увеличить работоспособность нашего премиального процессора Snapdragon 835, а кроме этого добавить ряд новых возможностей, которые смогут сделать пользовательский опыт применения мобильных устройств еще не менее совершенным». Сообщается, что флагман Самсунг Galaxy S8 может первым получит Snapdragon 835.

Смотреть видео онлайн

Смотреть видео онлайн